KRI 考夫曼離子源 KDC 40
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            KRI 考夫曼離子源 KDC 40

            KRI 考夫曼離子源 KDC 40
            上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

            KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術參數

            型號

            KDC 40

            供電

            DC magnetic confinement

             - 陰極燈絲

            1

             - 陽極電壓

            0-100V DC

            電子束

            OptiBeam™

             - 柵極

            專用, 自對準

             -柵極直徑

            4 cm

            中和器

            燈絲

            電源控制

            KSC 1202

            配置

            -

             - 陰極中和器

            Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

             - 架構

            移動或快速法蘭

             - 高度

            6.75'

             - 直徑

            3.5'

             - 離子束

            集中
            平行
            散設

             -加工材料

            金屬
            電介質
            半導體

             -工藝氣體

            惰性
            活性
            混合

             -安裝距離

            6-18”

             - 自動控制

            控制4種氣體

            * 可選: 可調角度的支架


            KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應用領域
            濺鍍和蒸發鍍膜 PC
            輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
            表面改性, 激活 SM
            離子濺射沉積和多層結構 IBSD
            離子蝕刻 IBE

            其他產品

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