KRI 射頻離子源 RFICP 系列
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            KRI 射頻離子源 RFICP 系列

            KRI 射頻離子源 RFICP 系列
            上海伯東美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
            射頻離子源
            射頻離子源 RFICP 系列技術參數:

            型號

            RFICP 40

            RFICP 100

            RFICP 140

            RFICP 220

            RFICP 380

            Discharge 陽極

            RF 射頻

            RF 射頻

            RF 射頻

            RF 射頻

            RF 射頻

            離子束流

            >100 mA

            >350 mA

            >600 mA

            >800 mA

            >1500 mA

            離子動能

            100-1200 V

            100-1200 V

            100-1200 V

            100-1200 V

            100-1200 V

            柵極直徑

            4 cm Φ

            10 cm Φ

            14 cm Φ

            20 cm Φ

            30 cm Φ

            離子束

            聚焦, 平行, 散射

             

            流量

            3-10 sccm

            5-30 sccm

            5-30 sccm

            10-40 sccm

            15-50 sccm

            通氣

            Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

            典型壓力

            < 0.5m Torr

            < 0.5m Torr

            < 0.5m Torr

            < 0.5m Torr

            < 0.5m Torr

            長度

            12.7 cm

            23.5 cm

            24.6 cm

            30 cm

            39 cm

            直徑

            13.5 cm

            19.1 cm

            24.6 cm

            41 cm

            59 cm

            中和器

            LFN 2000


            射頻離子源 RFICP 系列應用:
            離子輔助鍍膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
            離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
            表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
            離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
            離子濺鍍 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
            離子濺射鍍膜

            上海伯東離子源典型應用: 射頻離子源 RFICP 325 安裝在 1650 mm 蒸鍍機中, 實現離子輔助鍍膜 IBAD 及預清潔 Pre-clean, 完成 LED-DBR 鍍膜生產
            右圖: 在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試, 樣品無崩邊

            射頻離子源

            上海伯東離子源典型應用: 安裝在離子蝕刻機中的 KRI 射頻離子源, 對應用于半導體后端的6寸晶圓進行刻蝕. 右圖: 射頻離子源 RFICP 安裝于腔內

            射頻離子源

             

            1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

            若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
            上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
            T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
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