氦質譜檢漏儀半導體特殊器件檢漏
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            氦質譜檢漏儀半導體特殊器件檢漏

            氦質譜檢漏儀半導體特殊器件檢漏
            半導體器件 semiconductor device 通常利用不同的半導體材料, 采用不同的工藝和幾何結構, 已研制出種類繁多, 功能用途各異的多種晶體二極管, 晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻, 高頻, 微波, 毫米波, 紅外直至光波. 三端器件一般是有源器件, 典型代表是各種晶體管 ( 又稱晶體三極管 ). 晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應晶體管兩類.

            半導體特殊器件檢漏原因
            半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間, 利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件, 可用來產生, 控制, 接收, 變換, 放大信號和進行能量轉換, 對密封性的要求極高, 如果存在泄漏會影響其使用性能和精度, 光通信行業的漏率標準是小于 5×10-8mbar.l/s, 因此需要進行檢漏.
            半導體器件

            半導體特殊器件檢漏客戶案例: 某知名半導體公司, 通過上海伯東推薦采購氦質譜檢漏儀 ASM 340
             

            半導體特殊器件檢漏方法
            由于器件體積小, 且無法抽真空或直接充入氦氣, 而氦檢漏又離不開氦氣作為示蹤氣體, 所以上海伯東推薦采用”背壓法”檢漏, 具體做法如下:
            1. 將被檢器件放入真空保壓罐, 壓力和時間根據漏率大小設定
            2. 取出器件, 使用空氣或氮氣吹掃表面氦氣
            3. 將器件放入真空測試罐, 測試罐連接氦質譜檢漏儀
            4. 啟動氦質譜檢漏儀, 開始檢測

            背壓法圖示
            ”背壓法”圖示

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