KRI 霍爾離子源 eH 400
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            KRI 霍爾離子源 eH 400

            美國 KRI 霍爾離子源 eH 400
            上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統, 可以控制較低的離子能量, 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
            尺寸: 直徑= 3.7“  高= 3”
            放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
            操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

            KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
            可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
            寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
            多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統
            高效的等離子轉換和穩定的功率控制

            KRI 霍爾離子源 eH 400 技術參數:

            型號

            eH 400 / eH 400 LEHO

            供電

            DC magnetic confinement

              - 電壓

            40-300 V VDC

             - 離子源直徑

            ~ 4 cm

             - 陽極結構

            模塊化

            電源控制

            eHx-3005A

            配置

            -

              - 陰極中和器

            Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

              - 離子束發散角度

            > 45° (hwhm)

              - 陽極

            標準或 Grooved

              - 水冷

            前板水冷

              - 底座

            移動或快接法蘭

              - 高度

            3.0'

              - 直徑

            3.7'

              - 加工材料

            金屬
            電介質
            半導體

              - 工藝氣體

            Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

              - 安裝距離

            6-30”

              - 自動控制

            控制4種氣體

            * 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

            KRI 霍爾離子源 eH 400 應用領域:
            離子輔助鍍膜 IAD
            預清潔 Load lock preclean
            In-situ preclean
            Low-energy etching
            III-V Semiconductors
            • Polymer Substrates

            1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

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